长鑫存储完成第六代DRAM技术平台工程样片验证

近日，长鑫存储（CXMT）在2026年第三季度业绩交流会上透露，其第五代DRAM技术平台和LPDDR6内存已实现量产。此外，基于4F²单元结构的第六代DRAM技术平台也已完成工程样片的验证。长鑫存储目前已推出245Ball和496Ball封装的LPDDR5X产品，未来将逐步将更多产品转移至第五代DRAM技术平台，其中包括DDR5和LPDDR6。这一转型不仅丰富了客户的产品选择，也显著提升了内存的性能。

与第四代DRAM技术平台相比，第五代DRAM技术平台在单片晶圆上的裸片产出数量至少提高了50%以上，这一数据表明其在成本与能效方面具有显著优势。因此，第五代技术平台将更好地支撑LPDDR6大规模量产工作的进行。

长鑫存储的4F²单元结构核心创新为自主研发的VSG垂直包围沟道晶体管。该晶体管设计增强了栅控能力，改善了漏电问题与短沟道效应，同时通过垂直布局实现了芯片面积的显著缩小。为了适应这一新结构，长鑫存储对字线金属化、位线成型和结激活等关键工艺进行了深入研究。此外，该公司还结合混合键合技术将存储阵列与外围逻辑电路分布在两片晶圆上进行制造，继而通过键合工艺实现整合，从而突破了传统单片DRAM制造工艺的限制。 MK体育

长鑫存储已确认，预计在今年年底将推出融合4F²单元结构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。综上所述，在积极推进新技术发展的同时，长鑫存储为业界展现了DRAM制造技术的创新潜力与未来的发展方向。